工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》團體標準已形成委員會草2022年7月18日，由工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)...
北京大學彭海琳課題組在二維半導體超薄單晶柵介質研究中取得重要進展隨著集成電路芯片向亞3納米技術節(jié)點邁進，晶體管中關鍵尺寸不斷微縮，帶來更高的開關速度和集成度，但也會導致短溝道效應，嚴重影響晶體管性能...
SEMI：2022年半導體材料市場將增長8.6%至近700億美元集微網消息，9月6日，據DIGITIMES報道，SEMI中國臺灣總裁兼該協(xié)會全球首席營銷官Terry Tsao在一份新聞稿中援引SEMI的報告稱，2022年整個半導體材料市場規(guī)模可...
TCL中環(huán)旗下中環(huán)領先天津半導體基地投產 天津先進半導體材料研究院在濱海新區(qū)揭牌成立津濱網訊（記者 牛婧文）9月15日，TCL中環(huán)旗下中環(huán)領先天津半導體基地投產暨天津先進半導體材料研究院揭牌儀式在天津濱海高新...
我國在下一代光電芯片制造領域取得重大突破14日夜，國際頂級學術期刊《自然》發(fā)表了我國科學家在下一代光電芯片制造領域的重大突破。南京大學張勇、肖敏、祝世寧領銜的科研團隊，發(fā)明了一種新型“非互易飛秒激光極...
復旦科技園集成電路融創(chuàng)中心成立9月17日，復旦科技園集成電路融創(chuàng)中心（簡稱“復創(chuàng)芯”）成立儀式在復旦大學國家大學科技園成功舉行。中國科學院院士、復旦大學光電研究院院長褚君浩寄語道：“現在芯片產業(yè)發(fā)展迅速...
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