據遂寧市經信局官微消息，近日，先導集團泛半導體高端裝備制造西南生產基地項目迎來新進展。據項目負責人介紹，目前2號、3號、4號樓正處于全面開挖與打樁階段，整體基礎施工進度已達30%。所有打樁工作預計在今年1...
據海門經濟技術開發區官微消息，近日，海門經濟技術開發區年產60萬平方米先進封裝基板用高性能積層膜智能工廠建設項目主體結構順利封頂。據悉，該項目由江蘇興南創芯材料技術有限公司投資建設，項目建成后，擁有2...
據“智美昆高新”公眾號消息，日前，中科長光精拓智能裝備（蘇州）有限公司與蘇州大學共建的“半導體集成電路先進封測裝備聯合實驗室”正式簽約落地昆山高新區。據悉，聯合實驗室由中科長光精拓與蘇州大學數學科學學...
2025年第二季度全球硅晶圓出貨量達到3327百萬平方英寸（million square inches, MSI），與2024年同期的3035百萬平方英寸相比增長9.6%。環比來看，出貨量較今年第一季度的2896百萬平方英寸增長14.9%，顯示出memory...
近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結構單元為 Si-C 四面體。SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個間距如何理解呢？...
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