一、什么是第三代半導體所謂第三代半導體材料是以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表(還包括ZnO氧化鋅、GaO氧化鎵、金剛石等)的化合物半導體。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度...
引言功率半導體作為電力電子行業的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優化的技術和成本優勢主導了整個電力電子行業，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統對高效率、高功率密度的需求。而...
當前世界上的半導體元件，絕大多數是以第一代半導體材料硅基半導體為主，約占95%的份額，但是隨著電動汽車，5G通訊等新興技術的發展，以氮化鎵，碳化硅為代表新型基材越來越受到重視。第三代半導體，以碳化硅為代...
碳化硅生產流程包含材料端襯底與外延的制備，以及后續芯片的設計與制造，再到器件的封裝，最終流向下游應用市場。其中襯底材料是碳化硅產業中最具挑戰性的環節。碳化硅襯底既硬且脆，切割、研磨、拋光的難度都很...
到 2030 年，半導體在更多市場的大規模擴散以及這些市場中的更多應用預計將推動該行業的價值超過 1 萬億美元。但在接下來的 17 年里，半導體的影響力將遠遠超出這個數字，從而改變人們的工作方式，他們如何溝通，...
氧化鎵是一種很有前途的材料，可用于制造用于電動汽車和其他應用的更高效的功率器件。引人注目的是，該領域領先的美國公司的一個主要投資者是美國國防部。正如參與其商業化的日本公司Taiyo Nippon Sanso所解釋的...
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