第三代半導體即寬禁帶半導體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，切合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，是支撐新一代移動通信、新能源...
在半導體制造中，在處理基板或在基板上形成的薄膜的過程中，有一種稱為“蝕刻”的技術。蝕刻技術的發展對實現英特爾創始人戈登·摩爾在1965年提出的“晶體管的集成密度將在1.5到2年內翻一番”的預測（俗稱“摩爾定律”）...
半導體是電子信息產品的“心臟”，在國民經 濟和社會生活各方面的應用越來越廣泛，對國家經 濟成長、國防安全、核心競爭力提升至關重要 ， 促進了通信、計算、醫養健康、軍事系統、物流、 新能源行業的發展，...
一、WLP晶圓級封裝VS傳統封裝在傳統晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個芯片，然后再進行黏合封裝。不同于傳統封裝工藝，晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝，保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部...
IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內部實現電氣互連的...
碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材料的一種，屬于寬禁帶半導體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優勢，是制備大功率電力電子器件以...
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