半導體設備是產業發展和創新的基石，一代設備、一代工藝、一代產品。一條半導體生產線設備總投資約占總投資的70%至80%。半導體設備對信息產業有著成千上萬倍的放大作用。半導體設備年產值幾百億美金，支撐的是年...
今天我們要聊聊芯片制造中的一個重要環節——清洗。你可能會想，芯片不是在無塵室里做的嗎？怎么還會有污染呢？其實，芯片制造過程中需要用到各種化學物質和機械操作，這些都會在晶圓表面留下雜質。 ...
半導體材料作為電子信息技術發展的基礎，經歷了數代的更迭。隨著下游應用場景提出更高要求，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料逐漸進入產業化加速放量階段。SiC性能碳化硅SiC具有200多種晶型，以其...
摘要碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、擊穿場強高、熱導率高、化學穩定性好等優異特 性，是制備高性能功率器件等半導體器件的理想材料。得益于工藝簡單、操作便捷、設備要求低等優點，濕法...
下一代功率器件關鍵技術：碳化硅近年來，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導 體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發熱和成本的快速 膨脹成為了半導...
GaN 是一種優異的直接帶隙半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優良的光電性能、熱穩定性及化學穩定性，是制作高亮度藍綠發光二極管( LED) 、激光二極管( LD) 以及大功率、高溫、高速和惡劣環境條件下工作的...
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